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SiR464DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
70
56
42
2 8
14
V GS = 10 thru 4 V
V GS = 3 V
10
8
6
4
2
T C = 25 °C
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
1
2
3
4
5
0.0045
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
4500
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.0040
3600
C iss
0.0035
0.0030
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
2700
1 8 00
0.0025
0.0020
900
0
C rss
C oss
0
14
2 8
42
56
70
0
6
12
1 8
24
30
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
I D = 10 A
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 15 A
8
V DS = 15 V
1.6
V GS = 10 V
6
V DS = 10 V
V DS = 20 V
1.4
1.2
V GS = 4.5 V
4
1.0
2
0
0. 8
0.6
0
13
26
39
52
65
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 68871
S-82017-Rev. A, 01-Sep-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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